例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個步驟。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點和缺點。