什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？

光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？

例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？

解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。