問(wèn)答題為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長(zhǎng)會(huì)引發(fā)什么問(wèn)題？
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1.問(wèn)答題為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？
2.問(wèn)答題光刻和刻蝕的目的是什么？
3.問(wèn)答題離子注入后為什么要進(jìn)行退火？
4.問(wèn)答題離子注入前一般需要先生長(zhǎng)氧化層，其目的是什么？
最新試題
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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描述RF濺射系統(tǒng)。
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問(wèn)題？
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例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}