問答題離子注入前一般需要先生長氧化層,其目的是什么?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.問答題例舉出7種先進封裝技術(shù)。
3.問答題例舉并描述6種不同的塑料封裝形式。
4.問答題例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。
5.問答題例舉出傳統(tǒng)裝配的4個步驟。
最新試題
例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。
題型:問答題
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
題型:問答題
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型:問答題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低?高選擇比意味著什么?
題型:問答題
描述化學(xué)機械平坦化工藝。
題型:問答題
解釋什么是暗場掩模板?
題型:問答題
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。
題型:問答題
什么是硅化物?難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么?
題型:問答題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低?
題型:問答題
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。
題型:問答題