連續(xù)噴霧顯影、旋覆浸沒顯影。 顯影溫度,顯影時間,顯影液量,硅片洗盤,當量濃度,清洗,排風。
最新試題
離子源的目的是什么?最常用的離子源是什么?
干法刻蝕的目的是什么?例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么?
描述曝光波長和圖像分辨率之間的關(guān)系。
描述電子回旋共振(ECR)。
例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。
光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處?
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
描述RF濺射系統(tǒng)。
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
解釋離子束擴展和空間電荷中和。