例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

描述電子回旋共振（ECR）。

例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關(guān)系。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？