問(wèn)答題例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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1.問(wèn)答題在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
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3.問(wèn)答題解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？
5.問(wèn)答題描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
最新試題
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：?jiǎn)柎痤}
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
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什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型？
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例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
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光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？
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描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
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定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
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解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
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在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述電子回旋共振（ECR）。
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