連續(xù)噴霧顯影、旋覆浸沒顯影。 顯影溫度,顯影時間,顯影液量,硅片洗盤,當量濃度,清洗,排風。
最新試題
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率?
離子源的目的是什么?最常用的離子源是什么?
光學光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個重要參數(shù)是什么?
解釋什么是暗場掩模板?
例舉離子注入設備的5個主要子系統(tǒng)。
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
描述電子回旋共振(ECR)。
敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。