問(wèn)答題描述RF濺射系統(tǒng)。
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3.問(wèn)答題例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
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刻蝕工藝有哪兩種類(lèi)型？簡(jiǎn)單描述各類(lèi)刻蝕工藝。
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解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
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例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
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什么是結(jié)深？
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光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
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描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
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