問(wèn)答題描述凈化間的舞廳式布局。
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解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
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什么是結(jié)深？
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哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
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描述RF濺射系統(tǒng)。
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光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
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例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
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解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問(wèn)題？
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例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
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例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
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