例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？