單項選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴(kuò)散溫度為（）。
A.600～750℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.950～1100℃
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1.單項選擇題在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，砷和銻的擴(kuò)散溫度為（）。
A.1050～1200℃
B.900～1050℃
C.1100～1250℃
D.1200～1350℃
2.單項選擇題擴(kuò)散爐中的管道一般都是用（）制作。
A.陶瓷
B.玻璃
C.石英
D.金屬
3.多項選擇題下列可作為磷擴(kuò)散源的是（）。
A.磷鈣玻璃
B.三氯氧磷
C.三氯化磷
D.磷烷
E.摻磷二氧化硅乳膠源
4.多項選擇題下列擴(kuò)散雜質(zhì)源中，（）不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是鍺常用的施主雜質(zhì)。
A.硼
B.錫
C.銻
D.磷
E.砷
5.單項選擇題半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硫
C.硼
D.磷
最新試題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是（）
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
題型：單項選擇題