單項(xiàng)選擇題高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
A.416nm
B.405nm
C.365nm
D.740nm
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1.單項(xiàng)選擇題堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
A.100℃～150℃
B.130℃～200℃
C.110～130℃
D.85～120℃
2.單項(xiàng)選擇題在顯影過程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
A.顯影液可以使用丁酮
B.顯影液可以使用甲苯
C.顯影液可以使用丙酮
D.顯液可以使用甲基異丁基酮和異丙醇的1：1混合液
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
4.單項(xiàng)選擇題兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
5.單項(xiàng)選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
最新試題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：?jiǎn)柎痤}
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題