光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

堅膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）