多項(xiàng)選擇題下列可作為磷擴(kuò)散源的是（）。
A.磷鈣玻璃
B.三氯氧磷
C.三氯化磷
D.磷烷
E.摻磷二氧化硅乳膠源
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1.多項(xiàng)選擇題下列擴(kuò)散雜質(zhì)源中，（）不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是鍺常用的施主雜質(zhì)。
A.硼
B.錫
C.銻
D.磷
E.砷
2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硫
C.硼
D.磷
3.單項(xiàng)選擇題化合物半導(dǎo)體砷化鎵常用的施主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硼
C.磷
D.錳
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硫
C.硼
D.磷
5.單項(xiàng)選擇題在將清洗完的硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐擴(kuò)散時(shí)，需要將硅片先裝入（），然后再裝入擴(kuò)散爐。
A.耐熱陶瓷器皿
B.金屬器皿
C.石英舟
D.玻璃器皿
最新試題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：?jiǎn)柎痤}
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題