單項(xiàng)選擇題通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測(cè)量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
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1.單項(xiàng)選擇題刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
2.單項(xiàng)選擇題一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影
3.多項(xiàng)選擇題最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
4.多項(xiàng)選擇題回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片
5.多項(xiàng)選擇題在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
A.在局部阻擋摻雜
B.對(duì)器件結(jié)構(gòu)造成連接或短路
C.對(duì)微小器件結(jié)構(gòu)造成溝型損傷
D.整片硅片報(bào)廢
最新試題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過(guò)程中，對(duì)刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過(guò)程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題