定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。

解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問題？

刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個步驟。