例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。

光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？

什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說明它們是n型還是p型？

解釋什么是暗場掩模板？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

描述RF濺射系統(tǒng)。