問答題

【簡答題】敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

答案： 去除氮化硅使用熱磷酸進行濕法化學剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160℃左右并對露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。用熱磷...
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【簡答題】哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
答案： 多晶硅等離子刻蝕用的化學氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。
刻蝕多晶硅的三步工藝：
1.預刻蝕，用于去...
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【簡答題】描述電子回旋共振（ECR）。
答案： ECR反應器在1~10毫托的工作壓力下產(chǎn)生很密的等離子體。它在磁場環(huán)境中采用2.45GHZ微波激勵源來產(chǎn)生高密度等離子體...
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