最新試題
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型：?jiǎn)柎痤}
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
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