敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

光刻中采用步進掃描技術(shù)獲得了什么好處？

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

什么是結(jié)深？

解釋掃描投影光刻機是怎樣工作的？掃描投影光刻機努力解決什么問題？