哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。

描述RF濺射系統(tǒng)。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關(guān)系。

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

描述化學(xué)機械平坦化工藝。