最新試題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：?jiǎn)柎痤}
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機(jī)理和物理機(jī)理。
題型：?jiǎn)柎痤}