下列可能造成離子源沾污的因素是（）

一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）

最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

敘述測(cè)試晶體管的方法？

影響顯影工藝的因素有（）。

以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。