多項(xiàng)選擇題以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是()
A.劑量與束流密度
B.射程與注入能量
C.注入角度
D.晶圓
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1.多項(xiàng)選擇題下列可能造成離子源沾污的因素是()
A.離子源是否被沾污
B.真空系統(tǒng)是否漏氣
C.原材料是否滿足純度要求
D.光刻膠的堿性元素沾污
2.多項(xiàng)選擇題離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
A.靜電掃描
B.機(jī)械掃描
C.混合掃描
D.平行掃描
3.多項(xiàng)選擇題傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
A.反刻法
B.高溫回流法
C.旋涂玻璃法
D.化學(xué)機(jī)械拋光法
4.多項(xiàng)選擇題金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
A.直流濺射
B.射頻濺射
C.磁控濺射
D.準(zhǔn)直濺射
5.多項(xiàng)選擇題鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是()
A.陽極短路
B.陽極斷路
C.陰極短路
D.陰極斷路
最新試題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是()
題型:多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是()
題型:多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理?為什么要加隔離點(diǎn)?
題型:問答題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
題型:單項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于()
題型:單項(xiàng)選擇題