單項(xiàng)選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
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1.單項(xiàng)選擇題通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是（）
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
2.單項(xiàng)選擇題刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
3.單項(xiàng)選擇題一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影
4.多項(xiàng)選擇題最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
5.多項(xiàng)選擇題回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片
最新試題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題