單項選擇題刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃


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1.單項選擇題一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）

A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影

2.多項選擇題最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水

3.多項選擇題回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片

4.多項選擇題在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

A.在局部阻擋摻雜
B.對器件結(jié)構(gòu)造成連接或短路
C.對微小器件結(jié)構(gòu)造成溝型損傷
D.整片硅片報廢

5.多項選擇題分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）

A.快速熱退火及升溫速度和保持時間是否準(zhǔn)確
B.檢查是否有溝道效應(yīng)
C.檢查注入能量系統(tǒng)
D.檢查注入速度和時間是否準(zhǔn)確