多項(xiàng)選擇題影響顯影工藝的因素有()。
A.曝光度
B.顯影液濃度
C.顯影方法
D.工序的溫度和時(shí)間容量
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1.多項(xiàng)選擇題下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
A.脫水烘烤
B.旋轉(zhuǎn)涂布法涂HMDS
C.氣拍涂底法涂HDMS
D.軟烘
2.多項(xiàng)選擇題根據(jù)曝光模式,光制機(jī)的種類分為()。
A.接觸式曝光
B.接近式曝光
C.掃描式曝光
D.投影式曝光
3.多項(xiàng)選擇題刻蝕的過程中,對(duì)刻蝕的要求是()
A.圖形的保真度高
B.選擇比越接近1:1越好
C.均勻性好
D.晶圓表面的潔凈
4.多項(xiàng)選擇題以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是()
A.均勻性好
B.圖形保真度高
C.選擇比低
D.潔凈度高
5.多項(xiàng)選擇題最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
最新試題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
題型:多項(xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟?()
題型:多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的?
題型:?jiǎn)柎痤}
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí),可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時(shí)的溫度一般設(shè)置在()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
說明功能檢測(cè)工裝的制作原理?
題型:?jiǎn)柎痤}