問答題印制板通孔安裝方式中，元器件引線的彎曲成形應(yīng)當(dāng)注意什么？具體說，引線的最小彎曲半徑及彎曲部位有何要求？
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刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
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根據(jù)曝光模式，光制機的種類分為（）。
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影響顯影工藝的因素有（）。
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在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
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假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
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高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進光刻機上，那么i線的UV光波長為（）
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光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
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刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
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下列可能造成離子源沾污的因素是（）
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最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
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