多項選擇題根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
A.接觸式曝光
B.接近式曝光
C.掃描式曝光
D.投影式曝光
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1.多項選擇題刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
A.圖形的保真度高
B.選擇比越接近1：1越好
C.均勻性好
D.晶圓表面的潔凈
2.多項選擇題以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
A.均勻性好
B.圖形保真度高
C.選擇比低
D.潔凈度高
3.多項選擇題最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
4.單項選擇題（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
A.離子源
B.磁分析器
C.加速管
D.終端系統(tǒng)
5.單項選擇題利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
A.擴(kuò)散爐
B.離子注入機(jī)
C.加熱平板
D.對流烘箱
最新試題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：單項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）
題型：單項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點？
題型：問答題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題