以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。

試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）