單項(xiàng)選擇題晶體中，每個(gè)原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時(shí)其勢(shì)能為（）。
A.極大值
B.極小值
C.既不極大也不極小
D.小于動(dòng)能
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1.單項(xiàng)選擇題離子源腔體中的氣體放電形成（）而引出正離子的。
A.等離子體
B.不等離子體
C.正離子體
D.液電流
2.多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中，易燃、易爆的有（）。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣
3.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來(lái)（）。
A.氧化
B.改變導(dǎo)電類型
C.涂層
D.改變材料性質(zhì)
E.鍍膜
4.單項(xiàng)選擇題硅烷的分子式是（）。
A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC
5.多項(xiàng)選擇題去正膠常用的溶劑有（）
A.丙酮
B.氫氧化鈉溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>
最新試題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：?jiǎn)柎痤}
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題