多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中,易燃、易爆的有()。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中,離子注入主要是用來()。
A.氧化
B.改變導(dǎo)電類型
C.涂層
D.改變材料性質(zhì)
E.鍍膜
2.單項(xiàng)選擇題硅烷的分子式是()。
A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC
3.多項(xiàng)選擇題去正膠常用的溶劑有()
A.丙酮
B.氫氧化鈉溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>
4.多項(xiàng)選擇題光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過()來完成的。
A.紅外線輻射
B.X射線照射
C.加熱
D.紫外光輻射
E.電子束掃描
5.多項(xiàng)選擇題晶片經(jīng)過顯影后進(jìn)行堅(jiān)膜,堅(jiān)膜的主要作用有()。
A.除去光刻膠中剩余的溶劑
B.增強(qiáng)光刻膠對晶片表面的附著力
C.提高光刻膠的抗刻蝕能力
D.有利于以后的去膠工序
E.減少光刻膠的缺陷
最新試題
敘述測試晶體管的方法?
題型:問答題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于()
題型:單項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后,檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
題型:多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
一般情況下,刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是()
題型:單項(xiàng)選擇題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理?為什么要加隔離點(diǎn)?
題型:問答題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
題型:單項(xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上,那么i線的UV光波長為()
題型:單項(xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有()
題型:多項(xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行,溫度控制在()。
題型:單項(xiàng)選擇題