單項(xiàng)選擇題兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
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1.單項(xiàng)選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過(guò)30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過(guò)程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
2.單項(xiàng)選擇題通過(guò)分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來(lái)判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測(cè)量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
3.單項(xiàng)選擇題刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
4.單項(xiàng)選擇題一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
A.曝光
B.涂膠
C.去膠
D.顯影
5.多項(xiàng)選擇題最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
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電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長(zhǎng)為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過(guò)程中，對(duì)刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題