單項(xiàng)選擇題硅烷的分子式是（）。
A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題去正膠常用的溶劑有（）
A.丙酮
B.氫氧化鈉溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>
2.多項(xiàng)選擇題光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過（）來完成的。
A.紅外線輻射
B.X射線照射
C.加熱
D.紫外光輻射
E.電子束掃描
3.多項(xiàng)選擇題晶片經(jīng)過顯影后進(jìn)行堅(jiān)膜，堅(jiān)膜的主要作用有（）。
A.除去光刻膠中剩余的溶劑
B.增強(qiáng)光刻膠對(duì)晶片表面的附著力
C.提高光刻膠的抗刻蝕能力
D.有利于以后的去膠工序
E.減少光刻膠的缺陷
4.多項(xiàng)選擇題有關(guān)光刻膠的顯影下列說法錯(cuò)誤的是（）。
A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小
B.正膠受顯影液的影響比較小
C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形
D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率
E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形
5.單項(xiàng)選擇題下列哪些因素不會(huì)影響到顯影效果的是（）。
A.顯影液的溫度
B.顯影液的濃度
C.顯影液的溶解度
D.顯影液的化學(xué)成分
最新試題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：?jiǎn)柎痤}
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題