單項選擇題離子源腔體中的氣體放電形成（）而引出正離子的。

A.等離子體
B.不等離子體
C.正離子體
D.液電流


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1.多項選擇題離子注入的主要氣體源中，易燃、易爆的有（）。

A.砷化氫
B.二硼化氫
C.三氟化硼
D.硅烷
E.氧氣

2.多項選擇題半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，離子注入主要是用來（）。

A.氧化
B.改變導(dǎo)電類型
C.涂層
D.改變材料性質(zhì)
E.鍍膜

3.單項選擇題硅烷的分子式是（）。

A.SiF4
B.SiH4
C.CH4
D.SiC

4.多項選擇題去正膠常用的溶劑有（）

A.丙酮
B.氫氧化鈉溶液
C.丁酮
D.甲乙酮
E.熱的氯化碳?xì)浠衔?/p>

5.多項選擇題光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定通過（）來完成的。

A.紅外線輻射
B.X射線照射
C.加熱
D.紫外光輻射
E.電子束掃描