A.紅外線輻射
B.X射線照射
C.加熱
D.紫外光輻射
E.電子束掃描
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.除去光刻膠中剩余的溶劑
B.增強(qiáng)光刻膠對晶片表面的附著力
C.提高光刻膠的抗刻蝕能力
D.有利于以后的去膠工序
E.減少光刻膠的缺陷
A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小
B.正膠受顯影液的影響比較小
C.正膠的曝光區(qū)將會膨脹變形
D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率
E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會膨脹變形
A.顯影液的溫度
B.顯影液的濃度
C.顯影液的溶解度
D.顯影液的化學(xué)成分
A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蝕除去
C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層
E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成
A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分
B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)
C.烘烤的溫度一般在300℃左右
D.烘烤的時(shí)間越長越好
最新試題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有()。
調(diào)試和維修電路時(shí)排除故障的一般程序和方法是怎樣的?
()可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選,挑選出唯一需要注入的離子。
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
光刻膠對人部分可見光敏感,但對()光不敏感。
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí),判斷其造成原因有()
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí),一般使用()。
刻蝕的過程中,對刻蝕的要求是()
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上,那么i線的UV光波長為()
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi),此工序采用的設(shè)備是()