多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)ARC工藝的說(shuō)法正確的是（）。

A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蝕除去
C.ARC膜可以通過(guò)PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層
E.ARC膜也可以通過(guò)CVD的方法形成


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1.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于曝光后烘烤的說(shuō)法正確的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分
B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)
C.烘烤的溫度一般在300℃左右
D.烘烤的時(shí)間越長(zhǎng)越好

2.多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)曝光系統(tǒng)的說(shuō)法正確的是（）。

A.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高
B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影響
D.投影式曝光系統(tǒng)中不會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)

3.多項(xiàng)選擇題按曝光的光源分類(lèi)，曝光可以分為（）。

A.光學(xué)曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光

4.單項(xiàng)選擇題在VLSI工藝中，常用的前烘方法是（）。

A.熱空氣對(duì)流法
B.真空熱平板傳導(dǎo)法
C.紅外線(xiàn)輻射法
D.射頻感應(yīng)加熱法