A.負膠受顯影液的影響比較小
B.正膠受顯影液的影響比較小
C.正膠的曝光區(qū)將會膨脹變形
D.使用負膠可以得到更高的分辨率
E.負膠的曝光區(qū)將會膨脹變形
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A.顯影液的溫度
B.顯影液的濃度
C.顯影液的溶解度
D.顯影液的化學(xué)成分
A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蝕除去
C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層
E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成
A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分
B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)
C.烘烤的溫度一般在300℃左右
D.烘烤的時間越長越好
A.投影式同接觸式相比,掩模版的利用率比較高
B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影響
D.投影式曝光系統(tǒng)中不會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)
A.光學(xué)曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光
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