單項選擇題下列關于曝光后烘烤的說法正確的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分
B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應
C.烘烤的溫度一般在300℃左右
D.烘烤的時間越長越好


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1.多項選擇題下列有關曝光系統(tǒng)的說法正確的是（）。

A.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高
B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影響
D.投影式曝光系統(tǒng)中不會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)

2.多項選擇題按曝光的光源分類，曝光可以分為（）。

A.光學曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光

3.單項選擇題在VLSI工藝中，常用的前烘方法是（）。

A.熱空氣對流法
B.真空熱平板傳導法
C.紅外線輻射法
D.射頻感應加熱法

5.多項選擇題涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進行，下列操作正確的是（）。

A.進行去水烘烤以保證晶片干燥
B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好
C.剛剛處理好的晶片應立即涂膠
D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥
E.也可以直接使用貯存的晶片