A.顯影液的溫度
B.顯影液的濃度
C.顯影液的溶解度
D.顯影液的化學成分
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A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蝕除去
C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層
E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成
A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分
B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應
C.烘烤的溫度一般在300℃左右
D.烘烤的時間越長越好
A.投影式同接觸式相比,掩模版的利用率比較高
B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影響
D.投影式曝光系統(tǒng)中不會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)
A.光學曝光
B.離子束曝光
C.接近式曝光
D.電子束曝光
E.投影式曝光
A.熱空氣對流法
B.真空熱平板傳導法
C.紅外線輻射法
D.射頻感應加熱法
最新試題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性,通常將環(huán)境溫度設定于()。
一般情況下,刻蝕完成后需要進行的操作是()
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進光刻機上,那么i線的UV光波長為()
分結深是重要的結構參數(shù),在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結注入時,判斷其造成原因有()
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
下列可能造成離子源沾污的因素是()
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
在顯影過程中,對于正性抗蝕劑,顯影液的使用要求是()。
假設光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是()