多項(xiàng)選擇題晶片經(jīng)過顯影后進(jìn)行堅(jiān)膜，堅(jiān)膜的主要作用有（）。

A.除去光刻膠中剩余的溶劑
B.增強(qiáng)光刻膠對晶片表面的附著力
C.提高光刻膠的抗刻蝕能力
D.有利于以后的去膠工序
E.減少光刻膠的缺陷


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1.多項(xiàng)選擇題有關(guān)光刻膠的顯影下列說法錯(cuò)誤的是（）。

A.負(fù)膠受顯影液的影響比較小
B.正膠受顯影液的影響比較小
C.正膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形
D.使用負(fù)膠可以得到更高的分辨率
E.負(fù)膠的曝光區(qū)將會(huì)膨脹變形

2.單項(xiàng)選擇題下列哪些因素不會(huì)影響到顯影效果的是（）。

A.顯影液的溫度
B.顯影液的濃度
C.顯影液的溶解度
D.顯影液的化學(xué)成分

3.多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)ARC工藝的說法正確的是（）。

A.ARC可以是硅的氮化物
B.可用干法刻蝕除去
C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成
D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層
E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成

4.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于曝光后烘烤的說法正確的是（）。

A.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分
B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)
C.烘烤的溫度一般在300℃左右
D.烘烤的時(shí)間越長越好

5.多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)曝光系統(tǒng)的說法正確的是（）。

A.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高
B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式
C.接近式的分辨率受到衍射的影響
D.投影式曝光系統(tǒng)中不會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象
E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)