定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？

描述RF濺射系統(tǒng)。

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？