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問答題
【論述題】根據(jù)曝光方式的不同,光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
答案:
根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種:接觸式,接近式,投影式。接觸式:接觸式光刻機(jī)是最簡單的光刻機(jī),曝光時,掩模壓在涂...
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問答題
【論述題】在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測方法中,光學(xué)放射頻譜分析法最常見,簡述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。
答案:
光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測等離子體中某種波長的光線強(qiáng)度變化來達(dá)到終點(diǎn)檢測的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
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問答題
【論述題】
采用CF
4
作為氣體源對SiO
2
進(jìn)行刻蝕,在進(jìn)氣中分別加入O
2
或H
2
對刻蝕速率有什么影響?隨著O
2
或H
2
進(jìn)氣量的增加,對Si和SiO
2
刻蝕選擇性怎樣變化?為什么?
答案:
加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO
2
的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO
2
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