問(wèn)答題根據(jù)曝光方式的不同,光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
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3.問(wèn)答題根據(jù)原理分類,干法刻蝕分成幾種?各有什么特點(diǎn)?
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述BOE(或BHF)刻蝕SiO2的原理。
5.問(wèn)答題射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點(diǎn)?
最新試題
光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么?
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什么是摻雜?例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型?
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例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
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敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
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例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
題型:?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
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定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低?高選擇比意味著什么?
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什么是阻擋層金屬?阻擋層材料的基本特征是什么?哪種金屬常被用作阻擋層金屬?
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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