問(wèn)答題在光刻中，能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎？為什么？
您可能感興趣的試卷
最新試題
例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是結(jié)深？
題型：?jiǎn)柎痤}
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
題型：?jiǎn)柎痤}