解釋什么是暗場掩模板？

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個步驟。

光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個重要參數(shù)是什么？

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？