干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕的不足之處是什么？

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

例舉離子注入工藝和擴(kuò)散工藝相比的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？

描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。

定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。