光刻膠對(duì)人部分可見(jiàn)光敏感，但對(duì)（）光不敏感。

說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理？

當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。

刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）

下列可能造成離子源沾污的因素是（）

利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。

在顯影過(guò)程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）