回態(tài)源擴散的雜質源有（）

金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）

在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。

假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

敘述測試晶體管的方法？

解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。

利用高溫驅動雜質滲透進半導體內，此工序采用的設備是（）

下列哪些是進行光刻前的預處理的步驟？（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）

鋁的電遷移可能導致的結果是（）