最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）

通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）

在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。

刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時的溫度一般設(shè)置在（）

以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）

回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）

通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點的終點檢測方法是（）

刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）

敘述測試晶體管的方法？