多項選擇題在半導體工藝中，淀積的薄膜層應滿足的參數(shù)包含有（）。
A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應力
D.純凈度
E.電容
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題為了防止抽氣設備對離子注入系統(tǒng)的油污染，可在靶室前增加一個（）或采用無油泵。
A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵
2.單項選擇題離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。
A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體
3.單項選擇題在磁分析器中常用（）分析磁鐵。
A.柱形
B.扇形
C.方形
D.圓形
4.單項選擇題為了解決中性束對注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設有（），使離子束偏轉(zhuǎn)后再達到靶室。
A.磁分析器
B.正交電磁場分析器
C.靜電偏轉(zhuǎn)電極
D.束流分析儀
5.單項選擇題靜電偏轉(zhuǎn)電極和靜電掃描器都是（）電容器。
A.片狀
B.針尖狀
C.圓筒狀
D.平行板
最新試題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
調(diào)試和維修電路時排除故障的一般程序和方法是怎樣的？
題型：問答題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題
高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進光刻機上，那么i線的UV光波長為（）
題型：單項選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時，可以用加熱的磷酸進行刻蝕，此時的溫度一般設置在（）
題型：單項選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題